Образование: В 1919 году в возрасте 14 лет вступил добровольцем в Красную Армию.
В 1924 году, еще числясь в армии, поступил на физико-математический факультет Киевского государственного университета.
Будучи студентом, с 1927 года работал в Рентгеновском институте.
В 1928 году закончил аспирантуру, организовал и возглавил физическую лабораторию в Харьковском рентгенологическом институте.
Трудовая деятельность: Физическая лаборатория Киевского рентгеновского института (1927 г.).
Физическая лаборатория Всеукраинского рентгенологического института и лаборатория рентгеноструктурного анализа Харьковского физико-технического института.
В 1935 г. – Заведующий лабораторией в Физико-техническом институте в Ленинграде.
С 1935 г. на кафедре физики Ленинградского политехнического института в должности профессора, читал лекции на Физико-механическом факультете.
Во время ВОВ занимался размагничиванием кораблей Балтийского флота.
Директор Ленинградского физико-технического института (1967-87 гг.).
Заведующий группой Физико-технического института (ФТИ) им. А. Ф. Иоффе (с 1987 г.).
Руководил кафедрой «Физика полупроводниковых приборов» ЛПИ (до 1997 г.).
Советник Президиума РАН, советник при дирекции ФТИ, заведующий кафедрой Санкт-Петербургского государственного технического университета.
Стаж работы в сфере науки и образования: 70 лет.
Ученая степень: Академик АН СССР и РАН (1970 г.).
Область научных интересов: Научные труды В.М. Тучкевича относятся к физике и технике полупроводников. Его исследования привели к разработке принципов получения германиевых плоскостных диодов и триодов, фотоэлементов и фотодиодов. В лаборатории В.М. Тучкевича в ФТИ были разработаны первые в СССР германиевые и кремниевые диоды и триоды. Совместно с Б.М. Вулом и С.Г. Калашниковым заложил основы советской полупроводниковой промышленности.
В.М. Тучкевич создал новое направление – силовую полупроводниковую технику, разработал новые силовые полупроводниковые приборы.
Автор более 150 научных публикаций и 18 авторских изобретений.
Награды: Герой Социалистического Труда (1984 г.) – за большие заслуги в развитии советской науки и техники, подготовке научных кадров и в связи с 80-летием со дня рождения. Лауреат Сталинской премии I степени (1942 г.) – за изобретение метода защиты кораблей; Ленинской премии (1966 г.) – за исследование сложных структур с p—n переходами, разработку технологии изготовления и внедрение в серийное производство силовых кремниевых вентилей; премии им. Б.П. Константинова АН СССР (1982). Заслуженный деятель науки и техники РСФСР. Награжден тремя орденами Ленина (27.03.1954; 27.12.1974; 28.12.1984), орденами Трудового Красного Знамени (23.07.1959), Отечественной войны 2-й степени, медалями.
В Санкт-Петербурге, на фасаде главного здания Физико-технического института им. А.Ф.Иоффе, в честь В.М. Тучкевича установлена мемориальная доска.
