Команда исследователей из Института физики Казанского федерального университета, университета ИТМО и Сколтеха выяснили, как структурные дефекты в полупроводниках усиливают фотолюминесценцию и электронное комбинационное рассеяние света. В своем исследовании ученые теоретически обосновали и экспериментально продемонстрировали ключевую роль оптического ближнего поля при его взаимодействии с веществом.
Наука