Аспиранты новосибирского Института физики полупроводников будут работать на оборудовании мирового класса
Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) обновил приборную базу. Закупить новое оборудование мирового класса Институту удалось благодаря участию в программах Минобрнауки России. Сейчас ИФП СО РАН продолжает набор в аспирантуру.
За последние годы парк оборудования ИФП СО РАН пополнился целым комплексом современного дорогостоящего оборудования: установками атомно-слоевого осаждения SI PEALD, неразрушающего измерения карт слоевого сопротивления и подвижности заряда в полупроводниковых структурах, лазерной безмасковой фотолитографии модели µMLA и измерения концентраций легирующих примесей в полупроводниковых структурах Wafer Profiler. Кроме того, удалось закупить криостат с криомагнитной системой TeslatronPT, единый комплекс оборудования для ближнепольной микроскопии и спектроскопии фирмы HORIBA, системы фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением ARPES FlexPS и реконденсации жидкого гелия для работы криомагнитной системы по получению сверхнизких температур в сильных магнитных полях на базе гелиевого реконденсатора.
Новое оборудование значительно расширит аналитические и технологические возможности института. Процесс пополнения приборной базы продолжится и в этом году благодаря очередному гранту Минобрнауки России.
По словам ученых института, современное оборудование имеет ключевое значение для развития полупроводниковых технологий. Процесс устаревания специальных приборов в этой сфере очень быстрый и занимает буквально 4–5 лет. Лишь на установках последнего поколения исследователям удается провести нужные эксперименты по измерению тонких эффектов, а также интерпретировать результаты.
Такая работа требует определенных квалификации и навыков, которые физики могут получить во время обучения в аспирантуре. Аспиранты под руководством опытных наставников решают конкретные задачи, проводят фундаментальные исследования, участвуют в научных конференциях и стажировках, а также традиционно принимают участие в конкурсах на получение стипендий Президента Российской федерации, Правительства РФ, мэрии Новосибирска. Молодые специалисты Института регулярно становятся победителями таких конкурсов благодаря высокой квалификации и наличию собственных исследовательских проектов по актуальным научным тематикам.
